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参数资料
| 型号： | MMBZ5V6AL-7 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MMBZ5V6AL-7 |
DS30306 Rev. 6 - 2
3 of 4
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL
www.diodes.com
01
2
3
320
0
40
80
120
160
200
240
280
C,
CAP
A
CIT
A
NCE
(pF)
BIAS (V)
Fig. 3 Typical Capacitance vs. Bias Voltage
(Lower curve is Bidirectional mode,
Upper curve is Unidirectional mode)
MMBZ5V6AL
f= 1MHz
01
2
3
80
0
10
20
30
40
50
60
70
C,
CAP
ACIT
A
NCE
(pF)
BIAS (V)
Fig. 4 Typical Capacitance vs. Bias Voltage
(Lower curve is Bidirectional mode,
Upper curve is Unidirectional mode)
MMBZ15VAL
MMBZ27VAL
f= 1MHz
0.1
1.0
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 6 Pulse Rating Curve,
P
(W) vs. Pulse Width (ms)
pk
Power is defined as P
= V x I
pkC
pp
0.1
10
100
1.0
10
1000
10000
T= 25
°C
j
P
,
PEAK
PULSE
POWER
(W)
pk
100
Non Repetitive
Pulse Waveform
(Rectangular)
Unidirectional
Bidirectional
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
0
50
100
200
150
250
300
0
25
50
75
100
125
150
175
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE
A
Fig.5 Steady State Power Derating Curve
FR-5 Board
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MUR120GP | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| MBRD660CTTRR | 3 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| MBRB1645/45 | 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB745/31 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBRB10H90/81 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5V6AL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 5.6V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ5V6ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 5.6V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ5V6ALT1G | 功能描述:TVS二极管阵列 5.6V 225mW Dual Common Anode RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ5V6ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS Diode |
| MMBZ5V6ALT3 | 功能描述:TVS二极管阵列 5.6V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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