参数资料
| 型号： | MMBZ6V2ALT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER DUAL 24W CA 6.2V SOT23 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3V |
| 电压 - 击穿： | 5.89V |
| 功率（瓦特）： | 24W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
MMBZxxxALT1G Series, SZMMBZxxxALT1G Series
TYPICAL CHARACTERISTICS
t r ? 10 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAYS TO
100
90
80
100
50% OF I PP .
PEAK VALUE ? I PP
70
60
50
t P
HALF VALUE ?
I PP
2
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
0
0
25
50 75 100 125 150 175
200
t, TIME (ms)
Figure 6. Pulse Waveform
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ? C)
Figure 7. Pulse Derating Curve
100
10
UNIDIRECTIONAL
RECTANGULAR
WAVEFORM, T A = 25 ? C
BIDIRECTIONAL
100
10
RECTANGULAR
WAVEFORM, T A = 25 ? C
BIDIRECTIONAL
UNIDIRECTIONAL
1
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
1000
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 8. Maximum Non ? repetitive Surge
Power, P pk versus PW
Power is defined as V RSM x I Z (pk) where V RSM is
the clamping voltage at I Z (pk).
http://onsemi.com
5
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 9. Maximum Non ? repetitive Surge
Power, P pk (NOM) versus PW
Power is defined as V Z (NOM) x I Z (pk) where
V Z (NOM) is the nominal Zener voltage measured at
the low test current used for voltage classification.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ESD5Z6.0T1 | TVS ESD ASD 181W 6.0V SOD-523 |
| ESD5Z5.0T1 | TVS ESD ASD 174W 5.0V SOD-523 |
| MMD21-0141G1 | CONN RACK/PANEL 14POS 5A |
| 0034.6721 | FUSE 4A 250V 8.5X8.5 T 18.8 |
| MMBZ6V2ALT3 | TVS ZENER DUAL 24W CA 6.2V SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ6V8AL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL TVS 40W 4.5V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, 40W, 4.5V, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, 40W, 4.5V, SOT23; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:4.5V; Breakdown Voltage Min:6.46V; Breakdown Voltage Max:7.14V; Clamping Voltage Vc Max:9.6V; Peak Pulse Current Ippm:2.5A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| MMBZ6V8AL,215 | 功能描述:ESD 抑制器 1Ch 9.6V 2.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| MMBZ6V8AL-7 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| MMBZ6V8AL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ6V8ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 6.8V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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