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参数资料
| 型号： | MMBZ9V1AL |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | TVS-瞬态抑制二极管 |
| 英文描述： | 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors |
| 中文描述： | 20W和40W峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | MMBZ9V1AL |
MMBZ5V6ALT1 Series
http://onsemi.com
4
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
+50
18
Figure 1. Typical Breakdown Voltage
versus Temperature
(Upper curve for each voltage is bidirectional mode,
lower curve is unidirectional mode)
0
TEMPERATURE (
°
C)
+100
+150
15
12
9
6
3
0
40
+25
TEMPERATURE (
°
C)
1000
Figure 2. Typical Leakage Current
versus Temperature
+85
+125
100
10
1
0.1
0.01
B
(
B
T
)
I
R
Figure 3. Typical Capacitance versus Bias Voltage
(Upper curve for each voltage is unidirectional mode,
lower curve is bidirectional mode)
0
25
50
75
100
125
150
175
300
250
200
150
100
50
0
Figure 4. Steady State Power Derating Curve
TEMPERATURE (
°
C)
FR5 BOARD
ALUMINA SUBSTRATE
0
1
2
3
320
280
240
160
120
40
0
C
BIAS (V)
200
80
15 V
5.6 V
P
D
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ9V1AL,215 | 功能描述:ESD 抑制器 1Ch 14V 1.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| MMBZ9V1AL-13-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: |
| MMBZ9V1AL-7 | 功能描述:TVS二极管阵列 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ9V1AL-7-F | 功能描述:TVS二极管阵列 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
| MMBZ9V1ALT1 | 功能描述:TVS二极管阵列 9.1V 225mW Dual RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C |
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