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参数资料
| 型号： | MMDF3N02HDR1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 3 A, 20 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | CASE 751-05, SOIC-8 |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | MMDF3N02HDR1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSF4P01HDR1 | 4 A, 12 V, 0.09 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMSF3P02HDR1 | 3 A, 20 V, 0.095 ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMSF6N01HDR2 | 6 A, 12 V, 0.045 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMSF5N02HDR1 | 5 A, 20 V, 0.04 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| MMDF4N01HDR1 | 4 A, 12 V, 0.1 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMDF3N02HDR2 | 功能描述:MOSFET 20V 3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF3N02HDR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8D 20V 3.8A 90mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| MMDF3N03HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 30 Volts |
| MMDF3N03HDR2 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 4.1A 8-Pin SOIC T/R |
| MMDF3N04HD | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts |
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