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参数资料
| 型号： | MMDJ3P03BJT |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR PNP SILICON 30 VOLTS 3 AMPERES |
| 中文描述： | 3 A, 30 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, SO-8 |
| 封装： | SO-8 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | MMDJ3P03BJT |
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(2) fT = |hFE| ftest
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
—
—
20
Vdc
—
—
10
(VBE = 5.0 Vdc)
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
—
—
—
0.14
0.60
0.20
—
Base–Emitter On Voltage
(IC = 5.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
—
—
Vdc
1.40
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
DC Current Gain
hFE
125
180
—
Input Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
—
100
MHz
—
pF
fT
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