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参数资料
| 型号： | MMDL6050T1 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | SOD-323, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | MMDL6050T1 |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Switching Diode
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Reverse Voltage
VR
70
Vdc
Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board,*
TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
200
1.57
mW
mW/
°C
Thermal Resistance Junction to Ambient
R
θJA
635
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
150
°C
**FR-4 Minimum Pad
DEVICE MARKING
MMDL6050T1 = 5A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage (I(BR) = 100 Adc)
V(BR)
70
—
Vdc
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 50 Vdc)
IR
—
0.1
Adc
Forward Voltage
(IF = 1.0 mAdc)
(IF = 100 mAdc)
VF
0.55
0.85
0.7
1.1
Vdc
Reverse Recovery Time
(IF = IR = 10 mAdc, IR(REC) = 1.0 mAdc) (Figure 1)
trr
—
4.0
ns
Capacitance (VR = 0 V)
C
—
2.5
pF
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by MMDL6050T1/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MMDL6050T1
CASE 477–02, STYLE 1
SOD323
1
2
Motorola, Inc. 1999
1
CATHODE
2
ANODE
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PDF描述 |
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参数描述 |
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