参数资料
型号: MMDT3904V-7-L
厂商: DIODES INC
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
文件页数: 3/3页
文件大小: 75K
代理商: MMDT3904V-7-L
DS30449 Rev. 3 - 2
3 of 3
MMDT3904V
www.diodes.com
0.1
1
10
0.1
1
10
100
1000
V
,
BASE-EMITTER
(V)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
BE(SA
T)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 5, Typical Base-Emitter
Saturation Voltage vs. Collector Current
C
I
C
I
B
=10
0.01
0.1
1
0.1
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
OR-EMITTER
(V)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
CE(SA
T)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4, Typical Collector-Emitter
Saturation Voltage vs. Collector Current
C
I
C
I
B
=10
1
10
1000
100
0.1
1
10
1000
100
h
,
DC
CURRENT
GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3, Typical DC Current Gain vs
Collector Current
C
T = -25°C
A
T = +25°C
A
T = 125°C
A
V
= 1.0V
CE
0
5
15
10
0.1
1
10
100
C
,
INPUT
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
IBO
C
,
OUTPUT
CAP
A
CIT
A
NCE
(pF)
OBO
V
, COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)
Fig. 2, Input and Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
CB
Cibo
Cobo
f=1MHz
-50
0
50
100
150
250
200
150
50
100
0
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)
Fig. 1, Derating Curve - Total
A
°
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
d
NEW
P
RODUCT
相关PDF资料
PDF描述
MMDT3904V 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT3904 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT3904 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT3906-13 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT3906T/R13 200 mA, 40 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
MMDT3904VC 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMDT3904VC_1 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT
MMDT3904VC-7 功能描述:两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANSISTOR SMLSGNL NPN SOT-563 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMDT3904V-T 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
MMDT3904V-TP 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2