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参数资料
| 型号： | MMJT9435 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Bipolar Power Transistors |
| 中文描述： | 3000 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | MMJT9435 |
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PNP Silicon
Collector –Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus)
= 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
High DC Current Gain — hFE
= 140 (Min) @ IC = 1.2 Adc
= 125 (Min) @ IC = 3.0 Adc
Low Collector –Emitter Saturation Voltage — VCE(sat)
= 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc
= 0.68 Vdc (Max) @ IC = 5.0 Adc
SOT–223 Surface Mount Packaging
Preferred devices
are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MAXIMUM RATINGS
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Symbol
Value
Unit
30
45
Vdc
Vdc
VCB
Base Current — Continuous
IB
1.0
Adc
Collector Current
—
Peak
Total PD @ TA = 25 C mounted on 0.92” sq. (590 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
Total PD @ TA = 25 C mounted on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
1.5
0.8
5.0
Derate above 25 C
3.0
0.025
Watts
mW/ C
THERMAL CHARACTERISTICS
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
C
Characteristic
Symbol
Max
Unit
– Junction to Ambient on 0.012” sq. (7.6 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
– Junction to Ambient on 1” sq. (645 sq. mm) Drain pad on FR–4 bd material
R
θ
JA
R
θ
JA
156
60
REV 1
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Order this document
by MMJT9435/D
POWER BJT
IC = 3.0 AMPERES
BVCEO = 30 VOLTS
VCE(sat) = 0.275 VOLTS
CASE 318E–04, Style 1
Motorola Preferred Device
Top View
Pinout
C
C
E
B
Schematic
C 2,4
B 1
E 3
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