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参数资料
| 型号： | MMPQ2369R2 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 4 CHANNEL, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | CASE 751B, SOP-16 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | MMPQ2369R2 |
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
August, 2006 Rev. 2
1
Publication Order Number:
MMPQ2369/D
MMPQ2369
Quad Switching
Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
CollectorEmitter Voltage
VCEO
15
Vdc
CollectorBase Voltage
VCB
40
Vdc
EmitterBase Voltage
VEB
4.5
Vdc
Collector Current —
Continuous
IC
500
mAdc
Each
Transistor
Four
Transistors
Equal
Power
Total Power Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25°C
PD
0.4
3.2
0.72
6.4
W
mW/°C
Total Power Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25°C
PD
0.66
5.3
1.92
15.4
W
mW/°C
Operating and Storage
Junction Temperature
Range
TJ, Tstg
55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter
Breakdown Voltage(1)
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
15
—
Vdc
CollectorBase
Breakdown Voltage
(IC = 10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
40
—
Vdc
EmitterBase
Breakdown Voltage
(IE = 10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.5
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 20 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
0.4
mAdc
1. Pulse Test: Pulse Width v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
http://onsemi.com
CASE 751B05, STYLE 4
SO16
1
16
1
2
3
4
5
6
7
8
10
11
12
13
14
15
16
9
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