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参数资料
| 型号： | MMPQ3904D84Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOIC-16 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | MMPQ3904D84Z |
FFB3904
/
FMB3904
/
MMPQ3904
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
Typical Characteristics (continued)
Noise Figure vs Frequency
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
f - FREQUENCY (kHz)
N
F
-NOI
S
E
FI
G
URE
(
d
B)
V
= 5.0V
CE
I
= 100
A, R
= 500
C
S
I
= 1.0 mA
R
= 200
C
S
I
= 50
A
R
= 1.0 k
C
S
I
= 0.5 mA
R
= 200
C
S
k
Noise Figure vs Source Resistance
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
R
- SOURCE RESISTANCE (
)
NF
-
NOI
SE
FI
GU
RE
(
d
B
)
I
= 100
A
C
I
= 1.0 mA
C
S
I
= 50
A
C
I
= 5.0 mA
C
θ
-
D
E
G
R
E
S
0
40
60
80
100
120
140
160
20
180
Current Gain and Phase Angle
vs Frequency
1
10
100
1000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
f - FREQUENCY (MHz)
h
-
CURRE
NT
GA
IN
(d
B)
θ
V
= 40V
CE
I
= 10 mA
C
h fe
fe
Turn-On Time vs Collector Current
110
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
TI
M
E
(
n
S)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
40V
15V
2.0V
t
@
V
= 0V
CB
d
t
@
V
= 3.0V
CC
r
Rise Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
t
-
R
IS
E
T
IM
E
(n
s
)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
T
= 125°C
T
= 25°C
J
V
= 40V
CC
r
J
Power Dissipation vs
Ambient Temperat ure
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TE MPE RATURE ( C)
P
-P
O
W
E
R
D
ISS
IP
A
T
IO
N
(
W
)
°
D
SOIC-16
SOT-6
SC70 -6
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