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参数资料
| 型号： | MMPQ3904L86Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOIC-16 |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | MMPQ3904L86Z |
4
Typical Characteristics (continued)
Storage Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
t
-
S
T
O
R
A
G
E
T
IM
E
(n
s
)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
S
T
= 125°C
T
= 25°C
J
Fall Time vs Collector Current
1
10
100
5
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
t
-
F
A
L
T
IM
E
(n
s
)
I
= I
=
B1
C
B2
I c
10
V
= 40V
CC
f
T
= 125°C
T
= 25°C
J
Current Gain
0.1
1
10
100
500
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-CUR
R
E
NT
GA
IN
V
= 10 V
CE
C
fe
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
Input Impedance
0.1
1
10
0.1
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
IN
PU
T
IM
PED
AN
C
E
(
k
)
V
= 10 V
CE
C
ie
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
Voltage Feedback Ratio
0.1
1
10
1
2
3
4
5
7
10
I - COLLE CTOR CURRENT (mA)
h
-
V
O
L
T
A
G
E
FE
E
D
B
A
C
K
R
A
T
IO
(
x
1
0
)
V
= 10 V
CE
C
re
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
_
4
Output Admitt ance
0.1
1
10
1
10
100
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-O
U
TP
U
T
A
D
M
ITT
A
N
C
E
(
m
hos
)
V
= 10 V
CE
C
oe
f = 1.0 kHz
T
= 25 C
A
o
FFB3904
/
FMB3904
/
MMPQ3904
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMPQ3904LEADFREE | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3904R1 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3906R2 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SO-16 |
| MMPQ3906S62Z | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ3906L99Z | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMPQ3904R1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3904R2 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMPQ3906R1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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