型号: | MMPQ3906L86Z |
厂商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | SOIC-16 |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 84K |
代理商: | MMPQ3906L86Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMPQ3906D84Z | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ6502D84Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ6502L99Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ6502S62Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMPQ6502L86Z | 1000 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMPQ3906R1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ3906R2 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ6502 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON QUAD TRANSISTOR |
MMPQ6700 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMPQ6700_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN/PNP Transistor Gen Purp Quad RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |