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参数资料
| 型号： | MMSD4148T3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 二极管(射频、小信号、开关、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMSD4148T3 |
MMSD4148T1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(IBR = 100 mA)
V(BR)
100
-
V
Reverse Voltage Leakage Current
(VR = 20 V)
(VR = 75 V)
IR
-
25
5.0
nA
mA
Forward Voltage
(IF = 10 mA)
VF
-
1000
mV
Diode Capacitance
(VR = 0 V, f = 1.0 MHz)
CD
-
4.0
pF
Reverse Recovery Time
trr
-
4.0
ns
1. A 2.0 k
W variable resistor adjusted for a Forward Current (IF) of 10 mA.
2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 10 mA.
3. tp trr
+10 V
2 k
820
W
0.1
mF
DUT
VR
100
mH
0.1
mF
50
W OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
W INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC) = 1 mA
OUTPUT PULSE
(IF = IR = 10 mA; measured
at iR(REC) = 1 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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