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参数资料
| 型号： | MMSD701T1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 137K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY SS 70V SOD-123 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 肖特基 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 10mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200nA @ 35V |
| 电容@ Vr, F： | 1pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-123 |
| 供应商设备封装： | SOD-123 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | MMSD701T1GOSDKR |
  MMSD301T1G, SMMSD301T1G, MMSD701T1G, SMMSD701T1G, http://onsemi.com 2 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 ?C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Reverse Breakdown Voltage (IR = 10 A) MMSD301T1G, SMMSD301T1G MMSD701T1G, SMMSD701T1G V(BR)R 30 70 ? ? ? ? V Diode Capacitance (VR = 0 V, f = 1.0 MHz) MMSD301T1G, SMMSD301T1G MMSD701T1G, SMMSD701T1G CT ? ? 0.9 0.5 1.5 1.0 pF Total Capacitance (VR = 15 V, f = 1.0 MHz) MMSD301T1G, SMMSD301T1G (VR = 20 V, f = 1.0 MHz) MMSD701T1G, SMMSD701T1G CT ? ? 0.9 0.5 1.5 1.0 pF Reverse Leakage (VR = 25 V) MMSD301T1G, SMMSD301T1G (VR = 35 V) MMSD701T1G, SMMSD701T1G IR ? ? 13 9.0 200 200 nAdc Forward Voltage (IF = 1.0 mAdc) MMSD301T1G, SMMSD301T1G (IF = 10 mA) (IF = 1.0 mAdc) MMSD701T1G, SMMSD701T1G (IF = 10 mA) VF ? ? ? ? 0.38 0.52 0.42 0.7 0.45 0.6 0.5 1.0 Vdc |
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