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参数资料
| 型号： | MMST2907A |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | MMST2907A |
Fig.5 AC Current Gain vs. Collector Current
Fig.6 Collector-Emitter Saturation Voltage vs. Collector
Current
Fig.7 Grounded Emitter Propagation Characteristics
Fig.8 Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
Fig.9 Gain Bandwidth Product
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMST2907A | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMST3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
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| MMST3906T116 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMST2907A_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMST2907A_11 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Small Signal Transistors |
| MMST2907A_2 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| MMST2907A-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST2907A-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -60V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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