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参数资料
| 型号： | MMST5551-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMST5551-13 |
DS30173 Rev. 5 - 2
3 of 3
MMST5551
www.diodes.com
1
10
1000
100
1
10
100
f
,
GAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V= 5V
CE
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
V
,
BASE
EMITTER
V
OL
T
A
GE
(V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T= 25°C
A
T = -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
h
,
DC
CURRENT
FE
GAIN
(NORMALIZED)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
V= 5V
CE
T = 150°C
A
T = 25°C
A
T = -50°C
A
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
1
10
100
1000
V
,
COLLECT
OR
T
O
EMITTER
CE(SA
T
)
SA
TURA
TION
VOL
T
AGE
(V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=10
T = 150°C
A
T = 25°C
A
T = -50°C
A
0
50
25
50
75
100
125
150
175
200
P
,
POWER
D
ISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
100
150
200
0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMST5551 | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST5551P | 200 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMST918T146 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA05-13 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMSTA06-13 | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMST5551-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST5551-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST5551-T | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST5551-TP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMST5551-TP-TR | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R |
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