型号: | MMSTA56-13 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 71K |
代理商: | MMSTA56-13 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSTA64-13 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSTA63-13 | 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMSZ4688D87Z | 4.71 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ5223B | 2.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ5259B | 39 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSTA56-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA56T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
MMSTA63 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DARLINGTON PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
MMSTA63_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |