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参数资料
| 型号： | MMSTA56 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SC-59, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | MMSTA56 |
SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56
Transistors
PNP General Purpose Transistor
SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56
!Features
1) BVCEO
< 40V (IC = 1mA)
2) Complements the SSTA06 / MMSTA06 / MPSA06.
!Package, marking and packaging specifications
Part No.
SSTA56
SST3
R2G
T116
3000
MMSTA56
SMT3
R2G
T146
3000
MPSA56
TO-92
-
T93
3000
Packaging type
Marking
Code
Basic ordering unit (pieces)
!Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°C)
SSTA56, MMSTA56
MPSA56
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Tj
Tstg
Limits
80
4
0.5
0.625
150
55~+150
Unit
V
A
PC
0.2
W
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!External dimensions
(Units : mm)
SSTA56
MMSTA56
MPSA56
ROHM : SST3
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
ROHM : TO-92
EIAJ : SC-43
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
0~0.1
0.2Min.
2.4
±
0.2
1.3
0.95
0.45±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
0~0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3
~
0.6
1.1
0.8±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
4.8
±
0.2
(12.7Min.)
2.5Min.
4.8±0.2
3.7±0.2
5
0.45
2.3
0.5±0.1
±
0.1
2.5 +0.3
0.1
(1)
(2)
(3)
All terminals have same dimensions
!Electrical characteristics
(Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
4
80
-
0.1
1
V
A
IC =
100A
IC =
1mA
VCB =
80V
VCE =
60V
-
VBE(on)
--
1.2
V
VCE(sat)
--
0.25
V
IC/IB =
100mA/10mA
VCE/IB =
1V/100mA
VCE =
1V , IC = 10mA
hFE
100
-
-VCE =
1V , IC = 100mA
100
-
fT
50
-
MHz
VCE =
1V , IE = 100mA , f = 100MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Base-emitter saturation voltage
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA56 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RL | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| MPSA62RLRE | 500 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSTA56-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT -80V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA56T146 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 80V 500MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMSTA63 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:DARLINGTON PNP SMD (Surface Mount) Transistor SOT-23 - free partial T/R at 500. |
| MMSTA63_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR |
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