型号: | MMSZ16ET3G |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
文件页数: | 1/7页 |
文件大小: | 81K |
代理商: | MMSZ16ET3G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MLL5228DUR-1E3 | 3.9 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
MLL5248AUR-1E3 | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
MLL5275CUR-1E3 | 140 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
MLL5280CUR-1E3 | 190 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
MPTE-12CE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ16T1 | 功能描述:稳压二极管 16V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ16T1G | 功能描述:稳压二极管 16V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ16T1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMSZ16T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
MMSZ16V | 制造商:YEASHIN 制造商全称:YEASHIN 功能描述:500mW SOD-123 SURFACE MOUNT |