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参数资料
| 型号： | MMSZ22VCW |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 233K |
| 代理商： | MMSZ22VCW |
Number: DB-083
May 2009, Revision D
Page 3
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
Fig.1 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
Fig.2 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
Fig.4 TYPICAL CAPACITANCE
Fig.5 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Fig.6 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
0
100
200
300
400
500
600
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TEMPERATURE [
℃]
P
O
W
E
R
P
A
S
IP
AT
IO
N,
mW
Fig.3 POWER DISSIPATION VS. AMBIENT TEMP.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ3V6BW | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| MMSZ5241B | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MQ1N5233BUR-1E3 | 6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MQ1N5252AUR-1E3 | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ24 | 功能描述:稳压二极管 24 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ24 RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD123F;ZENER 500MW 5% 24V |
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| MMSZ24B RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD123F;ZENER 500MW 2% 24V |
| MMSZ24ET1 | 功能描述:DIODE ZENER 24V 500MW SOD-123 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
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