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参数资料
| 型号： | MMSZ27ET3 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MMSZ27ET3 |
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA)
Device
Marking
VZ1 (V)
ZZT1
(Note 6)
VZ2 (V)
ZZT2
(Note 6)
Max Reverse
Leakage Current
@ IZT1 = 5 mA
@ IZT2 = 1 mA
IR @ VR
Min
Nom
Max
W
Min
Max
W
mA
V
MMSZ2V4ET1, G
CL1
2.28
2.4
2.52
100
1.7
2.1
600
50
1
MMSZ2V7ET1, G
CL2
2.57
2.7
2.84
100
1.9
2.4
600
20
1
MMSZ3V0ET1
CL3
2.85
3.0
3.15
95
2.1
2.7
600
10
1
MMSZ3V3ET1, G
CL4
3.14
3.3
3.47
95
2.3
2.9
600
5
1
MMSZ3V6ET1, G
CL5
3.42
3.6
3.78
90
2.7
3.3
600
5
1
MMSZ3V9ET1, G
CL6
3.71
3.9
4.10
90
2.9
3.5
600
3
1
MMSZ4V3ET1
CL7
4.09
4.3
4.52
90
3.3
4.0
600
3
1
MMSZ4V7ET1
CL8
4.47
4.7
4.94
80
3.7
4.7
500
3
2
MMSZ5V1ET1, G
CL9
4.85
5.1
5.36
60
4.2
5.3
480
2
MMSZ5V6ET1
CM1
5.32
5.6
5.88
40
4.8
6.0
400
1
2
MMSZ6V2ET1
CM2
5.89
6.2
6.51
10
5.6
6.6
150
3
4
MMSZ6V8ET1
CM3
6.46
6.8
7.14
15
6.3
7.2
80
2
4
MMSZ7V5ET1
CM4
7.13
7.5
7.88
15
6.9
7.9
80
1
5
MMSZ8V2ET1
CM5
7.79
8.2
8.61
15
7.6
8.7
80
0.7
5
MMSZ9V1ET1
CM6
8.65
9.1
9.56
15
8.4
9.6
100
0.5
6
MMSZ10ET1, G
CM7
9.50
10
10.50
20
9.3
10.6
150
0.2
7
MMSZ11ET1
CM8
10.45
11
11.55
20
10.2
11.6
150
0.1
8
MMSZ12ET1, G
CM9
11.40
12
12.60
25
11.2
12.7
150
0.1
8
MMSZ13ET1
CN1
12.35
13
13.65
30
12.3
14.0
170
0.1
8
MMSZ15ET1, G
CN2
14.25
15
15.75
30
13.7
15.5
200
0.05
10.5
MMSZ16ET1, G
CN3
15.20
16
16.80
40
15.2
17.0
200
0.05
11.2
MMSZ18ET1, G
CN4
17.10
18
18.90
45
16.7
19.0
225
0.05
12.6
MMSZ20ET1, G
CN5
19.00
20
21.00
55
18.7
21.1
225
0.05
14
MMSZ22ET1, G
CN6
20.90
22
23.10
55
20.7
23.2
250
0.05
15.4
MMSZ24ET1
CN7
22.80
24
25.20
70
22.7
25.5
250
0.05
16.8
4. The type numbers shown have a standard tolerance of
±5% on the nominal Zener Voltage.
5. Tolerance and Voltage Designation: Zener Voltage (VZ) is measured with the Zener Current applied for PW = 1 ms.
6. ZZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied. The specified limits are for
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC), with the AC frequency = 1 kHz.
Devices listed in bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices. Preferred devices are recommended choices for future use and
best overall value.
* The “G” suffix indicates PbFree package available.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ30ET3 | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ51ET3 | 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ56ET3 | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MG042S05X150DM | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MG052S09A200TM | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ27T1 | 功能描述:稳压二极管 27V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ27T1G | 功能描述:稳压二极管 27V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ27T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ZENER DIODE, 500mW, 27V, SOD-123 |
| MMSZ27T1GT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators 500 mW SODa??123 Surface Mount |
| MMSZ27T3 | 功能描述:稳压二极管 27V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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