参数资料
型号: MMSZ3V3BW
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/5页
文件大小: 233K
代理商: MMSZ3V3BW
Number: DB-086
May 2009, Revision D
Page 3
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
Fig.1 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
Fig.2 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
0
100
200
300
400
500
600
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TEMPERATURE [
℃]
P
O
W
E
R
P
A
S
IP
AT
IO
N,
mW
Fig.3 POWER DISSIPATION VS. AMBIENT TEMP.
Fig.4 TYPICAL CAPACITANCE
Fig.5 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Fig.6 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
相关PDF资料
PDF描述
MMSZ5248C 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MSPLCR60 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-41
MQ1N5229AUR-1E3 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
MQ1N5264AUR-1E3 60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
MQ1N5281CUR-1E3TR 200 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ3V3CW 制造商:TAK_CHEONG 制造商全称:Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd 功能描述:500mW SOD-123 SURFACE MOUNT Flat Lead Surface Mount Plastic Package Zener Voltage Regulators
MMSZ3V3ET1 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD-123 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MMSZ3V3ET1G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMSZ3V3ET3 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators
MMSZ3V3T1 功能描述:稳压二极管 3.3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel