参数资料
型号: MMSZ3V3CW
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 2/5页
文件大小: 233K
代理商: MMSZ3V3CW
Number: DB-083
May 2009, Revision D
Page 2
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
VZ @ IZT
(Volts)
Device
Type
Device
Marking
Min
Nom
Max
IZT
(mA)
ZZT @ IZT
(
Ω)
Max
IZK
(mA)
ZZK @ IZK
(
Ω)
Max
IR @ VR
(
μA)
Max
VR
(Volts)
MMSZ18VCW
18VZ
17.10
18
18.90
5
45
1
212
0.045
12.6
MMSZ20VCW
20VZ
19.00
20
21.00
5
55
1
212
0.045
14.0
MMSZ22VCW
22VZ
20.90
22
23.10
5
55
1
235
0.045
15.4
MMSZ24VCW
24VZ
22.80
24
25.20
5
70
1
235
0.045
16.8
MMSZ27VCW
27VZ
25.65
27
28.35
2
80
0.5
282
0.045
18.9
MMSZ30VCW
30VZ
28.50
30
31.50
2
80
0.5
282
0.045
21.0
MMSZ33VCW
33VZ
31.35
33
34.65
2
80
0.5
306
0.045
23.0
MMSZ36VCW
36VZ
34.20
36
37.80
2
90
0.5
329
0.045
25.2
MMSZ39VCW
39VZ
37.05
39
40.95
2
130
0.5
329
0.045
27.3
MMSZ43VCW
43VZ
40.85
43
45.15
2
150
0.5
353
0.045
30.1
MMSZ47VCW
47VZ
44.65
47
49.35
2
170
0.5
353
0.045
33.0
MMSZ51VCW
51VZ
48.45
51
53.55
2
180
0.5
376
0.045
35.7
MMSZ56VCW
56VZ
53.20
56
58.80
2
200
0.5
400
0.045
39.2
MMSZ62VCW
62VZ
58.90
62
65.10
2
215
0.5
423
0.045
43.4
MMSZ68VCW
68VZ
64.60
68
71.40
2
240
0.5
447
0.045
47.6
MMSZ75VCW
75VZ
71.25
75
78.75
2
255
0.5
470
0.045
52.5
VF Forward Voltage = 900mV Maximum @ IF = 10 mA for all types
Notes:
1.
The Zener Voltage (VZ) is tested under pulse condition of 10mS.
2.
The device numbers listed have a standard tolerance on the nominal zener voltage of ±5%.
3.
For detailed information on price, availability and delivery of nominal zener voltages between the voltages shown and tighter
voltage tolerances, contact your nearest Tak Cheong Electronics representative.
4.
The zener impedance is derived from the 60-cycle ac voltage, which results when an ac current having an rms value equal to
10% of the dc zener current (IZT or IZK) is superimposed to IZT or IZK.
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参数描述
MMSZ3V3ET1 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD-123 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MMSZ3V3ET1G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MMSZ3V3ET3 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators
MMSZ3V3T1 功能描述:稳压二极管 3.3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ3V3T1G 功能描述:稳压二极管 3.3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel