型号: | MMSZ4683D4 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 74K |
代理商: | MMSZ4683D4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSZ4694D3 | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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MMSZ5256BD4 | 30 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MQ1N4741CG | 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
MQ1N4758DG | 56 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ4683-E3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW SOD123 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE, ZENER, 3V, 0.5W, SOD-123-2, Zener Voltage Vz Typ:3V, Power Dissipation Pd 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 3V, 500MW, SOD-123-2, Zener Voltage Vz Typ:3V, Power Dissipation Pd:500mW, Operating Temperature Min:-55C, Operating Temperature Max:150C, Diode Case Style:SOD-123, No. of Pins:2 , RoHS Compliant: Yes |
MMSZ4683T1 | 功能描述:稳压二极管 3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ4683T1G | 功能描述:稳压二极管 3V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ4683T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
MMSZ4683-TP | 功能描述:稳压二极管 3V 500mW 0.8uA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |