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参数资料
| 型号： | MMSZ4690/D3 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMSZ4690/D3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MP02HB260-10 | 267 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MAZ83000H | 31 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MAZ83600H | 37 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MF3406R | 40 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-5 |
| MMSZ5238BS-7 | 8.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ4690-E3-08 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE, ZENER, 5.6V, 0.5W, SOD-123-2, Zener Voltage Vz Typ:5.6V, Power Dissipatio |
| MMSZ4690-E3-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 |
| MMSZ4690ET1 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4690ET1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount |
| MMSZ4690ET3 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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