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参数资料
| 型号： | MMSZ4690 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMSZ4690 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MASMLG54AE3 | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MASMLG75CAE3TR | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MASMLG8.5AE3TR | 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMSZ4690-E3-18 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述: 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 |
| MMSZ4690ET1 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4690ET1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount |
| MMSZ4690ET3 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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