参数资料
型号: MMSZ4698T3
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN
文件页数: 3/6页
文件大小: 74K
代理商: MMSZ4698T3
MMSZ4678T1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA)
Device*
Device
Marking
Zener Voltage (Note 3)
Leakage Current
VZ (Volts)
@ IZT
IR @ VR
Min
Nom
Max
mA
Volts
MMSZ4678T1, G
CC
1.71
1.8
1.89
50
7.5
1
MMSZ4679T1, G
CD
1.90
2.0
2.10
50
5
1
MMSZ4680T1, G
CE
2.09
2.2
2.31
50
4
1
MMSZ4681T1, G
CF
2.28
2.4
2.52
50
2
1
MMSZ4682T1, G
CH
2.565
2.7
2.835
50
1
MMSZ4683T1, G
CJ
2.85
3.0
3.15
50
0.8
1
MMSZ4684T1, G
CK
3.13
3.3
3.47
50
7.5
1.5
MMSZ4685T1, G
CM
3.42
3.6
3.78
50
7.5
2
MMSZ4686T1, G
CN
3.70
3.9
4.10
50
5
2
MMSZ4687T1, G
CP
4.09
4.3
4.52
50
4
2
MMSZ4688T1, G
CT
4.47
4.7
4.94
50
10
3
MMSZ4689T1, G
CU
4.85
5.1
5.36
50
10
3
MMSZ4690T1, G
CV
5.32
5.6
5.88
50
10
4
MMSZ4691T1, G
CA
5.89
6.2
6.51
50
10
5
MMSZ4692T1, G
CX
6.46
6.8
7.14
50
10
5.1
MMSZ4693T1, G
CY
7.13
7.5
7.88
50
10
5.7
MMSZ4694T1, G
CZ
7.79
8.2
8.61
50
1
6.2
MMSZ4695T1, G
DC
8.27
8.7
9.14
50
1
6.6
MMSZ4696T1, G
DD
8.65
9.1
9.56
50
1
6.9
MMSZ4697T1, G
DE
9.50
10
10.50
50
1
7.6
MMSZ4698T1, G
DF
10.45
11
11.55
50
0.05
8.4
MMSZ4699T1, G
DH
11.40
12
12.60
50
0.05
9.1
MMSZ4700T1, G
DJ
12.35
13
13.65
50
0.05
9.8
MMSZ4701T1, G
DK
13.30
14
14.70
50
0.05
10.6
MMSZ4702T1, G
DM
14.25
15
15.75
50
0.05
11.4
MMSZ4703T1, G
DN
15.20
16
16.80
50
0.05
12.1
MMSZ4704T1, G
DP
16.15
17
17.85
50
0.05
12.9
MMSZ4705T1, G
DT
17.10
18
18.90
50
0.05
13.6
MMSZ4706T1, G
DU
18.05
19
19.95
50
0.05
14.4
MMSZ4707T1, G
DV
19.00
20
21.00
50
0.01
15.2
MMSZ4708T1, G
DA
20.90
22
23.10
50
0.01
16.7
MMSZ4709T1, G
DX
22.80
24
25.20
50
0.01
18.2
MMSZ4710T1, G
DY
23.75
25
26.25
50
0.01
19.0
MMSZ4711T1, G
EA
25.65
27
28.35
50
0.01
20.4
MMSZ4712T1
EC
26.60
28
29.40
50
0.01
21.2
MMSZ4713T1, G
ED
28.50
30
31.50
50
0.01
22.8
MMSZ4714T1, G
EE
31.35
33
34.65
50
0.01
25.0
MMSZ4715T1, G
EF
34.20
36
37.80
50
0.01
27.3
MMSZ4716T1, G
EH
37.05
39
40.95
50
0.01
29.6
MMSZ4717T1, G
EJ
40.85
43
45.15
50
0.01
32.6
3. Nominal Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at TL = 30°C ±1°C.
*The “G’’ suffix indicates PbFree package available.
MMSZ4703 and MMSZ4711 Not Available in 10,000/Tape & Reel
相关PDF资料
PDF描述
MZP4753ARR2 36 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
MBR3060CT 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MMAD130 UNIDIRECTIONAL, 20 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
MAZ81500M 15 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MAZ82200H 22.7 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ4698-V 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
MMSZ4698-V-G 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Zener Diodes
MMSZ4698-V-GS08 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.5W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ4698-V-GS18 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ4699 制造商:RECTRON 制造商全称:Rectron Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT ZENER DIODE VOLTAGE RANGE 2.4 to 43 Volts POWER RATING 500 mWatts