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参数资料
| 型号： | MMSZ4V7ET1G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 81K |
| 代理商： | MMSZ4V7ET1G |
MMSZ2V4ET1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
Figure 1. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ2V4T1 SERIES
VZ @ IZT
VZ
,TEMPERATURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
100
10
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 2. Temperature Coefficients
(Temperature Range 55
°C to +150°C)
VZ @ IZT
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
150
125
100
75
50
25
0
T, TEMPERATURE (
°C)
Figure 3. Steady State Power Derating
PD versus TA
PD versus TL
P
pk
,PEAK
SURGE
POWER
(W
A
TTS)
0.1
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 4. Maximum Nonrepetitive Surge Power
1
10
100
1000
100
10
1
RECTANGULAR
WAVEFORM, TA = 25°C
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE
Figure 5. Effect of Zener Voltage on
Zener Impedance
10
1
Z ZT
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(
)
Ω
1000
100
10
1
TJ = 25°C
IZ(AC) = 0.1 IZ(DC)
f = 1 kHz
IZ = 1 mA
5 mA
20 mA
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Forward Voltage
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
1000
100
10
1
75 V (MMSZ5267BT1)
91 V (MMSZ5270BT1)
150
°C
75
°C
25
°C
TYPICAL TC VALUES
FOR MMSZ2V4T1 SERIES
0
°C
10
1
P D
,POWER
DISSIP
ATION
(W
ATTS)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5V6ET1G | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ6V2ET1G | 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ6V8ET1G | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ9V1ET1G | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ9V1ET3G | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ4V7ET3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
| MMSZ4V7T1 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4V7T1G | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ4V7T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
| MMSZ4V7T3 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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