参数资料
型号: MMSZ51T1T3
厂商: MOTOROLA INC
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: PLASTIC, CASE 425, 2 PIN
文件页数: 1/6页
文件大小: 230K
代理商: MMSZ51T1T3
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PDF描述
MMSZ4685T1T3 3.6 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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MMBV2101LT3 HF-UHF BAND, 6.8 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MV104RLRP 32 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92
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相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5221B 功能描述:稳压二极管 2.4 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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MMSZ5221B-7 功能描述:稳压二极管 2.4V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5221B-7-F 功能描述:稳压二极管 2.4V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel