参数资料
型号: MMSZ5223BSW
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 2.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 4/4页
文件大小: 215K
代理商: MMSZ5223BSW
Nov 2008, Revision D
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TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
SOD-323 Package Outline
NOTES:
1. The above package outline is similar to JEITA SC-90.
2. Dimensions are exclusive of Burrs, Mold Flash & Tie Bar extrusions.
Fig.7 TYPICAL LEAKGE CURRENT
相关PDF资料
PDF描述
MMSZ5235BSW 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5239B 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5244B 14 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5258B 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5227BT/R7 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5223BT1 功能描述:稳压二极管 2.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5223BT1G 功能描述:稳压二极管 2.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5223BT3 功能描述:稳压二极管 2.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5223B-TP 功能描述:稳压二极管 500mW 2.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5223ET1 功能描述:稳压二极管 2.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel