型号: | MMSZ5227C |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 110K |
代理商: | MMSZ5227C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MMSZ5232C | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MA44622B-134 | K BAND, 20 GHz, SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
MA4ST533B | VHF-UHF BAND, 11.5 pF, 22 V, SILICON, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MA46410-97 | VHF-KA BAND, 0.53 pF, 18 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MA46416-95 | VHF-KA BAND, 1.8 pF, 18 V, GALLIUM ARSENIDE, HYPERABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MMSZ5227C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5227C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 3.6 Volt 0.5 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5228 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
MMSZ5228B | 功能描述:稳压二极管 3.9V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5228B RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 3.9V 5% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |