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参数资料
| 型号： | MMSZ5230BRH |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | MMSZ5230BRH |
MMSZ5221B~MMSZ5263B
500mW, 5% Tolerance SMD Zener Diode
Small Signal Diode
Rating and Characteristic Curves
0
1
10
100
01
23
45
67
89
10
11
12
Z
ener
C
urrent
(m
A)
Ta=25°C
0
100
200
300
400
500
600
700
0
50
100
150
200
Pow
er
D
is
si
pat
ion
(m
W
)
FIG 3 Zener Breakdown Characteristics
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
10
20
30
40
50
60
70
80
Z
ener
C
urrent
(m
A)
Ta=25°C
Ta=150°C
FIG 6 Effect of Zener Voltage on Impedence
1
10
100
1000
1
10
100
D
ynam
ic
I
m
pedenc
e(
)
FIG 5 Typical Capacitance
1
10
100
1000
1
10
100
C
apac
itanc
e(pF
)
Bias at 50% of VZ(Nom)
1V Bias
Iz=20m
Iz=5mA
Iz=1mA
Zener Voltage (V)
FIG 2 Zener Breakdown Characteristics
Zener Voltage (V)
FIG 4 Power Dissipation vs. Ambient Temp.
Zener Voltage (V)
Ambient Temperature (°C)
Zener Voltage (V)
0.01
0.1
FIG 1 Typical Forward Voltage
1
10
100
1000
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
F
orw
ard
C
urrent
(m
A)
Ta=25°C
Forward Voltage (V)
Ta=25°C
Version : C10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5234AS | 6.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5235BRHG | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5243AST/R7 | 13 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5247AT/R13 | 17 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5250AT/R13 | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5230BS-7 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5230BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5230BT1 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5230BT1G | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5230BT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
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