型号: | MMSZ5230BS-7 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 4.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 77K |
代理商: | MMSZ5230BS-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MUR110GP | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
MUR160GP | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
MBRB1035/81 | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRF750/45 | 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MBRB3035CT | 15 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ5230BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5230BT1 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5230BT1G | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5230BT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
MMSZ5230BT3 | 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |