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参数资料
型号： MMSZ5230BS
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 4.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： PLASTIC PACKAGE-2
文件页数： 2/5页
文件大小： 137K
代理商： MMSZ5230BS
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STAD-FEB.23.2004
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相关PDF资料
PDF描述
MMSZ5222B 2.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5225B 3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5227B 3.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5230BS-7 功能描述:稳压二极管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5230BS-7-F 功能描述:稳压二极管 4.7V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5230BT1 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5230BT1G 功能描述:稳压二极管 4.7V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5230BT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode
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