参数资料
型号: MMSZ5230C-TP
厂商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 1/5页
文件大小: 335K
代理商: MMSZ5230C-TP
Features
Planar Die construction
Zener Voltages from 2.4V - 39V and 500mW Power Dissipation
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
Mechanical Data
Approx. Weight: 0.009 grams
Mounting Position: Any
Storage & Operating Temperature: -55
oC to +150oC
Maximum Ratings @ 25oC Unless Otherwise Specified
Maximum Forward
Voltage
VF
0.9
V
Power Dissipation
(No te s A)
P(AV)
500
mWatt
NOTES:
MMSZ5221
THRU
MMSZ5259
500 mW
Zener Diodes
2.4 to 39 Volts
M C C
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.141
.154
3.60
3.90
B
.098
.110
2.50
2.80
C
.055
.071
1.40
1.80
D
.037
.053
0.95
1.35
E
.019
.028
0.50
0.70
F
---
.008
---
0.20
G
.016
---
0.40
---
.036”
.093"
.048”
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
A
B
E
C
H
D
F
G
SOD123
DIMENSIONS
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
H
---
.005
---
0.12
MAX
TM
Micro Commercial Components
1 of 5
Lead Free Finish/RoHS Compliant("P" Suffix
designates RoHS Compliant. See ordering information)
Revision:
A
20
11/01/01
www.mccsemi.com
@ IF=10mA
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
相关PDF资料
PDF描述
MMSZ5234C-TP 6.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5237C-TP 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMSZ5251C-TP 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MTZJ27A-TP 5.76 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34
MTZJ36B-TP 16.64 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5230C-V-GS08 功能描述:稳压二极管 4.7 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5230C-V-GS18 功能描述:稳压二极管 4.7 Volt 0.5 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5230ET1 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD-123 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
MMSZ5231A _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MMSZ5231A_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: