型号: | MMSZ5235BS-7 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 77K |
代理商: | MMSZ5235BS-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MPG06M | 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
MBR20H90CT | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MBRF2060CT | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MMBZ4715/E9 | 36 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5227B/E8 | 3.6 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ5235BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 6.8V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5235BT1 | 功能描述:稳压二极管 6.8V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5235BT1G | 功能描述:稳压二极管 6.8V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5235BT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ZENER DIODE, 500mW, 6.8V, SOD-123 |
MMSZ5235BT3 | 功能描述:稳压二极管 6.8V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |