参数资料
型号: MMSZ5237CW
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/5页
文件大小: 227K
代理商: MMSZ5237CW
Number: DB-207
Dec. 2009 Release, Revision A
Page 3
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
Fig.1 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
Fig.2 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
Fig.4 TYPICAL CAPACITANCE
Fig.5 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Fig.6 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
0
100
200
300
400
500
600
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TEMPERATURE [
℃]
P
O
W
E
R
P
A
S
IP
AT
IO
N,
mW
Fig.3 POWER DISSIPATION VS. AMBIENT TEMP.
相关PDF资料
PDF描述
MMBD1701AD87Z 0.05 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE
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MSS60,448-B41 SILICON, HIGH BARRIER SCHOTTKY, MIXER DIODE
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相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5237ET1 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5237ET1G 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5237ET3 功能描述:稳压二极管 8.2V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5238A _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
MMSZ5238A_ R2 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: