参数资料
型号: MMSZ5238B/D3
厂商: GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 8.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
文件页数: 1/2页
文件大小: 82K
代理商: MMSZ5238B/D3
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PDF描述
MMBZ5232/E8 5.6 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MV1858EE-5% 1 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MV1860D-2% 2.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MBRB20H90CT/81 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
MG052S14A300RX BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5238B-E3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:DIODE, ZENER, 8.7V, 0.5W, SOD-123-2, Zener Voltage Vz Typ:8.7V, Power Dissipatio 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123
MMSZ5238B-E3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Diode Zener Single 8.7V 5% 500mW T/R 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 8.7 Volt 0.5W 5% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123
MMSZ5238B-G3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123
MMSZ5238B-G3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123
MMSZ5238B-GS08 功能描述:稳压二极管 8.7 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel