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参数资料
| 型号： | MMSZ5242BS |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 12 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | MMSZ5242BS |
RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( MMSZ5223BS-MMSZ5259BS )
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1000
100
10
1
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P
PK
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pF
)
Figure 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
PULSE WIDTH(ms)
Figure 3 Zener Voltage vs Zener Impedence
Figure 4 Maximum Non-repetitive Surge Power
TA,AMBIENT TEMPERATURE(OC)
VZ,NOMINAL ZENER VOLTAGE(V)
VZ,ZENER VOLTAGE(V)
Figure 2 Typical Capacitance
Figure 5 Zener Breakdown Characteristics
VZ,ZENER VOLTAGE(V)
Figure 6 Zener Breakdown Characteristics
IZ= 1.0mA
TJ = 25OC
5V6
10
12
15
18
22
27
33
36 39
6V8
8V2
Test Current Iz
20mA
Test Current Iz
Nominal Zener Voltage
f = 1MHz
0V BIAS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAZS030GHL | 3.1 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MAZS120GLL | 11.7 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MAZS390G0L | 39 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5256BW | 30 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MBR20040CT | 100 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5242BS-7 | 功能描述:稳压二极管 12V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5242BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 12V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5242BT1 | 功能描述:稳压二极管 12V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5242B-T1 | 制造商:Sensitron Semiconductors 功能描述:Diode Zener Single 12V 5% 500mW 2-Pin SOD-123 T/R |
| MMSZ5242BT1G | 功能描述:稳压二极管 12V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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