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参数资料
| 型号： | MMSZ5246BSW |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 16 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 215K |
| 代理商： | MMSZ5246BSW |
Nov 2008, Revision D
Page 3
TAK CHEONG
SEMICONDUCTOR
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
Fig.1 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
Fig.2 EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE
Fig.4 TYPICAL CAPACITANCE
Fig.5 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
Fig.6 ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICS
0
50
100
150
200
250
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TEMPERATURE [
℃]
P
O
W
E
R
P
A
S
IP
AT
IO
N,
mW
Fig.3 POWER DISSIPATION VS. AMBIENT TEMP.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5260BSW | 43 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| MMSZ5235BSW | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5239B | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5244B | 14 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5246BT1 | 功能描述:稳压二极管 16V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5246BT1G | 功能描述:稳压二极管 16V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5246BT3 | 功能描述:稳压二极管 16V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5246BT3G | 功能描述:稳压二极管 16V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5246B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 16V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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