型号: | MMSZ5248/D3 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 18 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
文件页数: | 1/2页 |
文件大小: | 52K |
代理商: | MMSZ5248/D3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSZ5254B/D4 | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5259/E8 | 39 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
MMBZ5261B/E9 | 47 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
MV2105RLRA | HF-UHF BAND, 15 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92 |
MA4P278STR-287 | SILICON, PIN DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ5248ET1 | 功能描述:稳压二极管 18V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5248ET1G | 功能描述:稳压二极管 ZENER REGULATOR DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5248T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
MMSZ5249B | 功能描述:稳压二极管 19V 0.5W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5249B RH | 功能描述:稳压二极管 Zener 500mW 5% 19V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |