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参数资料
| 型号： | MMSZ5250BRHG |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | MMSZ5250BRHG |
MMSZ5221B~MMSZ5263B
500mW, 5% Tolerance SMD Zener Diode
Small Signal Diode
VZ Tolerance Selection of ±5%
Moisture sensitivity level 1
Matte Tin(Sn) lead finish
Pb free version and RoHS compliant
Min
Max
Min
Max
Case : Flat lead SOD-123 small outline plastic package
1.5
1.7
0.059 0.067
3.3
3.9
0.130 0.154
0.5
0.7
0.020 0.028
2.5
2.7
0.098 0.106
0.8
1.15
0.031 0.045
0.05
0.2
0.002 0.008
Package
SOD-123F
Maximum Ratings
IF=10mA
Notes:1. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature
VBR
: Voltage at IZK
IZK
: Test current for voltage VBR
ZZK
: Dynamic impedance at IZK
IZT
: Test current for voltage VZ
VZ
: Voltage at current IZT
ZZT
: Dynamic impedance at IZT
IZM
: Maximum steady state current
VZM
: Voltage at IZM
Zener I vs. V Characteristics
V
Thermal Resistance (Junction to Ambient)
(Note 1)
RθJA
330
°C/W
Forward Voltage
0.9
Packing
TJ, TSTG
Units
PD
mW
-65 to + 150
500
°C
Suggested PAD Layout
Unit (inch)
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Type Number
D
E
Ordering Information
Pin Configuration
Value
F
Part No.
SOD-123F
Junction and Storage Temperature Range
VF
Green compound (Halogen free) with suffix "G" on
packing code and prefix "G" on date code
Power Dissipation
Symbol
High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s
Polarity : Indicated by cathode band
Weight : 8.85±0.5 mg
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Features
Mechanical Data
Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable
per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Unit (mm)
Wide zener voltage range selection : 2.4V to 56V
Dimensions
A
B
C
MMSZ52xxB RH
MMSZ52xxB RHG
3Kpcs / 7" Reel
Voltage
Current
IF
VF
VR
IR
VBR
IZK
VZ
IZT
VZM
IZM
Forward Region
Leakage Region
BreakdownRegion
1.22
0.048
2.36
0.093
0.91
0.036
0.165
4.19
C
A
B
D
E
F
Version : C10
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5251B | 22 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5254BRHG | 27 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5257BST/R7 | 33 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5260AST/R13 | 43 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4690-V-G-08 | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5250BS-7 | 功能描述:稳压二极管 20V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5250BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 20V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5250BT1 | 功能描述:稳压二极管 20V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5250BT1G | 功能描述:稳压二极管 20V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5250BT3 | 功能描述:稳压二极管 20V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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