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参数资料
| 型号： | MMSZ5251BST/R7 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 22 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | MMSZ5251BST/R7 |
PAGE . 3
REV.0.2-NOV.3.2009
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1000
100
10
1
75 C
O
5C
O
25 C
O
150 C
O
100
10
1
10
100
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
125
100
75
50
25
0
150
Fig.2 TEMPERATURE COEFFICENTS
Fig.4 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
Fig.1 STEADY STATE POWER DERATING
NOMINAL ZENER VOLTAGE,VOLTS
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
TEMPERATURE ( C)
O
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
,(mV/
C)
O
POWER
DISSIP
A
TION,
W
atts
FOR
W
ARD
CURRENT
,mA
90
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150 C
O
+25 C
O
-55 C
O
Fig.3 TYPICAL LEAKAGE CURRENT
LEAKAGE
CURRENT
,uA
NORMAL ZENER VOLTAGE, VOLTS
MMSZ5221BS SERIES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5262A | 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| MMSZ4698-V-G-08 | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4700-V-G-18 | 13 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMSZ5251BT1G | 功能描述:稳压二极管 22V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5251B-TP | 功能描述:稳压二极管 500mW 22V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5251B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 22 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5251B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 22 Volt 0.5 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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