参数资料
型号: MMSZ5257BS
厂商: LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 33 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2
文件页数: 3/3页
文件大小: 181K
代理商: MMSZ5257BS
MMSZ52xBS Series
Typical Characteristics
Fig.1 Power Derating Curve
Fig.2 Typical Zener Breakdown Characteristics
Fig.3 Typical Zener Breakdown Characteristics
Fig.4 Typical Total Capacitance vs. Nominal Zener
Voltage
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
MMSZ5257BS-7 功能描述:稳压二极管 200MW 33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5257BS-7-F 功能描述:稳压二极管 200MW 33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5257BT1 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5257BT1G 功能描述:稳压二极管 33V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMSZ5257BT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode