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参数资料
| 型号： | MMSZ5259BS |
| 厂商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 39 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | MMSZ5259BS |
MMSZ52xBS Series
SURFACE MOUNT
ZENER DIODE
REVERSE VOLTAGE – 2.4 to 39 Volts
POWER DISSIPATION – 0.2 Watts
FEATURES
Planar die construction
200mW power dissipation rating
Ultra-small surface mount package
MECHANICAL DATA
Case: SOD-323 Plastic
Case Material: “Green” molding compound, UL
flammability classification 94V-0, (No Br. Sb. CI)
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D
Lead Free in RoHS 2002/95/EC Compliant
SOD-323
SOD-323
Dim.
Min.
Max.
A
2.50
2.70
B
1.20
1.40
C
1.60
1.80
D
0.25
0.35
E
0.08
0.15
F
0.25
0.40
G
---
1.0
H
0.00
0.10
Dimensions in millimeter
Maximum Ratings & Thermal Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Forward Voltage
@IF=10mA
VF
0.9
V
Power Dissipation
PD
200
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RΘJA
625
/W
℃
Operating Temperature Range
TJ
150
℃
Storage Temperature Range
TSTG
-65~+150
℃
Device Marking :
Device P/N
Marking
Pin Diagram
Equivalent Circuit Diagram
MMSZ5221BS
XXX=Specific device code
(See below table)
Electrical Characteristics @ TA = 25℃ unless otherwise specified
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA1220-L | 21.3 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MA2150-A | 14.25 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
| MA4039-H | 4 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MA4051(N)-M | 5.1 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MA4100(N)-M | 9.99 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5259BS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5259BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5259BT1 | 功能描述:稳压二极管 39V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5259BT1G | 功能描述:稳压二极管 39V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5259BT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ZENER DIODE |
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