型号: | MMSZ5260C-GS18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 1/4页 |
文件大小: | 70K |
代理商: | MMSZ5260C-GS18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSZ5261C-GS18 | 47 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ5264C-GS08 | 60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ5264C-GS18 | 60 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ5266C-GS08 | 68 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MB8S-T3 | 0.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ5260C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5260C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 43 Volt 0.5 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5260ET1 | 功能描述:稳压二极管 43V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5261B | 功能描述:稳压二极管 47 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5261B _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |