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参数资料
| 型号： | MMSZ5267BD3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 75 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | MMSZ5267BD3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MDD710-24N1 | 1198 A, 2400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| MMSZ20ET3 | 20 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MQ1N4746DG | 18 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ2EZ120D2 | 120 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MQ2EZ12D | 13 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ5267B-G3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 75 Volt 0.5W 5% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 |
| MMSZ5267B-G3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 75 Volt 0.5W 5% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOD123 |
| MMSZ5267BT1 | 功能描述:稳压二极管 75V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5267BT1G | 功能描述:稳压二极管 75V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ5267BT3 | 功能描述:稳压二极管 75V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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