型号: | MMSZ56ET1G |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 56 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
文件页数: | 3/7页 |
文件大小: | 81K |
代理商: | MMSZ56ET1G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MQSMCGLCE160AE3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MQSMCGLCE8.0E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MQSMCJLCE160AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
MQSMCJLCE8.0E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
MVSMCGLCE100AE3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMSZ56T1 | 功能描述:稳压二极管 56V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ56T1G | 功能描述:稳压二极管 56V 500mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5B1 | 功能描述:稳压二极管 51 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMSZ5B1 RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD123F;ZENER 500MW 2% 51V |
MMSZ5B6 | 功能描述:稳压二极管 56 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |