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参数资料
| 型号： | MMSZ7V5T3G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 425-04, 2 PIN |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | MMSZ7V5T3G |
MMSZ2V4T1 Series
http://onsemi.com
4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted, VF = 0.9 V Max. @ IF = 10 mA)
Device
Device
Marking
VZ1 (Volts)
ZZT1
(Note 8)
VZ2 (Volts)
ZZT2
(Note 8)
Max Reverse
Leakage Current
@ IZT1 = 2 mA
@ IZT2 = 0.1 mA
@ IZT2 =
0.5 mA
IR @ VR
Min
Nom
Max
W
Min
Max
W
mA
Volts
MMSZ27T1
Y1
25.65
27
28.35
80
25
28.9
300
0.05
18.9
MMSZ30T1*
Y2
28.50
30
31.50
80
27.8
32
300
0.05
21
MMSZ33T1
Y3
31.35
33
34.65
80
30.8
35
325
0.05
23.1
MMSZ36T1*
Y4
34.20
36
37.80
90
33.8
38
350
0.05
25.2
MMSZ39T1*
Y5
37.05
39
40.95
130
36.7
41
350
0.05
27.3
MMSZ43T1*
Z1
40.85
43
45.15
150
39.7
46
375
0.05
30.1
MMSZ47T1
Z2
44.65
47
49.35
170
43.7
50
375
0.05
32.9
MMSZ51T1*
Z3
48.45
51
53.55
180
47.6
54
400
0.05
35.7
MMSZ56T1
Z4
53.20
56
58.80
200
51.5
60
425
0.05
39.2
6. The type numbers shown have a standard tolerance of
±5% on the nominal Zener Voltage.
7. Tolerance and Voltage Designation: Zener Voltage (VZ) is measured with the Zener Current applied for PW = 1 ms.
8. ZZT and ZZK are measured by dividing the AC voltage drop across the device by the AC current applied.
The specified limits are for IZ(AC) = 0.1 IZ(DC), with the AC frequency = 1 kHz.
The “G” suffix indicates PbFree package available.
*Not Available in the 10,000/Tape & Reel.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ51T3G | 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ36T3G | 36 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5257BS | 33 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MN101C147 | 8-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| MN101C145 | 8-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMSZ8V2 | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ8V2 RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD123F;ZENER 500MW 5% 8V2 |
| MMSZ8V2B | 功能描述:稳压二极管 8.2 Volt 500mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMSZ8V2B RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:SOD123F;ZENER 500MW 2% 8V2 |
| MMSZ8V2ET1 | 功能描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD-123 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
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