型号: | MMSZ9V1T3 |
厂商: | MOTOROLA INC |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC, CASE 425, 2 PIN |
文件页数: | 1/20页 |
文件大小: | 258K |
代理商: | MMSZ9V1T3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MZD110RL | 110 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
MZD20RL | 30 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
MZP4741A | 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
MZPY20RL | 20 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
MZPY47RLCTA | 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMT05A230T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
MMT05A230T3_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD |
MMT05A230T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 265V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
MMT05A260T3 | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
MMT05A260T3G | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A Surge 320V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |